【东吴证券】半导体键合设备行业深度-先进封装高密度互联推动键合技术发展_国产设备持续突破

东吴证券近日发布了一份名为《半导体键合设备行业深度：先进封装高密度互联推动键合技术发展，国产设备持续突破》的行业研究报告。报告深入分析了半导体封装技术的发展，特别是键合技术的多元化及其在先进封装中的应用趋势，详细探讨了传统引线键合技术的局限性以及热压键合、混合键合作为未来技术发展的方向。报告还特别强调了国产设备在这一领域的突破和投资机会。这份报告为我们提供了半导体键合设备行业的全面视角，其中包含了关于技术发展、市场趋势以及投资建议的丰富信息，对于理解半导体封装行业的未来走向具有重要价值。

半导体键合技术的革新与国产化进程

半导体行业的发展日新月异，其中封装技术的进步尤为关键。报告指出，半导体封装技术正朝着高速信号传输、堆叠、小型化、低成本、高可靠性、散热等方向发展。这些需求推动了键合技术的不断革新，从传统的引线键合到倒装键合、热压键合，再到混合键合技术，每一步都是对连接密度和速度的极致追求。

混合键合技术以其高密度互联的优势，成为未来发展的趋势。据BESI预测，到2030年，混合键合设备的需求有望达到28亿欧元，约200亿人民币。这一预测显示了混合键合技术巨大的市场潜力和行业影响力。

在传统封装领域，引线键合技术曾占据主导地位，但随着先进封装技术的发展，热压键合和混合键合技术因其更高的连接密度和速度，逐渐成为行业新宠。先进封装追求的不仅是更高的传输速度和更小的芯片尺寸，还要求更低的成本和更高的可靠性。混合键合技术以其仅需铜触点实现更高密度互联的特点，成为实现这些要求的关键。

报告中提到，混合键合技术在逻辑/存储芯片的互联密度、速度、带宽密度、能耗以及散热效率方面均优于传统热压键合。例如，混合键合逻辑芯片相较于热压键合芯片，在互联密度上提高了15倍，速度提升了11.9倍，带宽密度提升了191倍，能耗降低了20倍。这些数据充分展示了混合键合技术在性能上的显著优势。

在先进封装晶圆变薄的趋势下，临时键合和解键合技术应运而生。晶圆减薄工艺成为先进封装的核心工艺，超薄晶圆的诸多优点直接推动3D堆叠层数提高。临时键合设备的技术壁垒在于多材料/高低温适配性、高对准精度、机械应力控制等。解键合工艺中，激光解键合法是目前主要使用的解键合方式，它能够满足高密度、大尺寸、超薄器件晶圆剥离的要求。

投资建议方面，国内重点推荐拓荆科技、迈为股份、芯源微和奥特维等公司，它们在混合键合、临时键合、解键合和引线键合领域均有布局和突破。这些公司的发展不仅代表了国内半导体设备的进步，也显示了国产设备在全球竞争中的潜力。

风险提示中提到，封装设备需求不及预期、技术研发不及预期以及行业竞争加剧等因素可能对行业造成影响。这些风险提示对于投资者来说至关重要，需要密切关注市场动态和技术研发进展。

总而言之，半导体键合技术的革新是行业发展的必然趋势，而国产化进程的加速则是中国半导体行业崛起的重要标志。随着技术的不断突破和市场的不断扩大，我们可以预见，未来半导体键合技术将在全球范围内发挥更加重要的作用。

这篇文章的灵感来自于东吴证券发布的《半导体键合设备行业深度：先进封装高密度互联推动键合技术发展，国产设备持续突破》报告。除了这份报告，还有一些同类型的报告也非常有价值，推荐阅读，这些报告我们都收录在同名星球，可以自行获取。

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