【国元证券】存储行业报告-AI需求和制程升级_行业加速步入新一轮增长周期

近日，国元证券发布了一份名为“存储行业报告-AI需求和制程升级_行业加速步入新一轮增长周期中”的行业研究报告。该报告深入分析了当前存储行业的发展态势，特别是AI需求的增长和制程技术的升级如何推动行业进入新的增长周期。报告指出，随着AI技术的快速发展和应用，存储行业将迎来新一轮的增长机遇，特别是在DRAM领域，供需结构的优化和技术创新将为行业带来新的增长点。这份报告提供了对行业发展趋势的深刻洞察，对于理解当前存储行业的动态和未来发展方向具有重要参考价值。

AI需求激增，存储行业迎来新增长周期

在数字化时代，数据就是新的石油。随着人工智能技术的飞速发展，对存储芯片的需求也日益增长。近期，一份关于存储行业的报告引起了广泛关注，它揭示了AI需求和制程升级如何推动存储行业步入新一轮增长周期。

二季度DRAM价格超预期上涨，主要得益于供应链供需结构的持续优化。AI需求的增长带动了产业主要原厂技术升级加速，并在利基型存储芯片上退出。报告预计，三季度价格仍有望保持一定的上涨空间。从供应端看，2025年是DRAM行业供应结构变化的重要节点，原厂加速退出DDR4产品供应，而AI需求刺激带动DDR5/LPDDR5/HBM产品比重加速提升。这意味着，随着技术的进步和需求的增长，存储行业正在经历一场深刻的变革。

AI的端侧应用有望加速DRAM行业增长。随着AI技术在智能手机、服务器和PC等领域的应用越来越广泛，对DRAM存储芯片的需求也在稳步上升。报告预测，智能手机单机DRAM容量将从2021年的6.6GB提升至2028年的13.2GB，实现翻倍增长。服务器和PC的DRAM容量也呈现出类似的增长趋势。这些数据表明，AI技术的应用正在推动存储行业的需求增长。

报告还提到，DRAM向3D化发展带动了Hybrid bonding技术的发展。随着DRAM制程进入到20nm以后，物理特性使得每一次制程的提高变得愈发困难和复杂。而DRAM 3D化则成为提升位元密度的主要手段。Hybrid bonding技术通过晶圆之间形成直接的铜-铜键合，实现芯片之间的互联，降低凸块的间距并缩小接点间距，提升连接密度，实现更快的传输速度并降低能耗。这一技术的发展，将为存储行业带来新的增长动力。

在投资建议方面，报告推荐关注存储芯片领域的兆易创新、内存接口芯片领域的澜起科技、存储模组领域的江波龙和佰维存储，以及测试设备领域的精智达。这些公司在各自的领域内具有较强的竞争力，有望从存储行业的新一轮增长周期中获益。

风险方面，报告提示了上行风险和下行风险。上行风险包括DRAM颗粒价格加速上行、下游需求出现明显回暖以及国产替代进程提速。而下行风险则包括宏观经济下行、DRAM价格回暖不及预期、国产厂商产能释放不及预期以及其他系统性风险。这些风险提示对于投资者来说，是进行投资决策时必须考虑的因素。

总的来说，AI需求的增长和制程技术的升级，正在推动存储行业步入一个新的增长周期。这对于投资者来说，是一个不容忽视的投资机会。但同时，也需要关注行业的风险，做好风险管理。

这篇文章的灵感来自于国元证券发布的存储行业报告。除了这份报告，还有一些同类型的报告也非常有价值，推荐阅读，这些报告我们都收录在同名星球，可以自行获取。

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